好利来(中国)电子科技股份有限公司

碳化硅场效应管
当前条件:
碳化硅场效应管
已选择:
PD(W)
 
ID(A)
 
VGS(th)_Min(V)
1.8 2
 
VGS(th)_Max(V)
3.6 4
 
RDS(on)(mΩ) @VGS=10V
 
RDS(on)(mΩ) @VGS=4.5V
52 28
 
Package
 

地址:北京市北京经济技术开发区荣华南路15号院7号楼6层602室

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